單晶型、粒徑分布均勻的三氧化二銻生產(chǎn)方法及其裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200610018991.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN1873061A | 公開(公告)日 | 2006-12-06 |
申請公布號 | CN1873061A | 申請公布日 | 2006-12-06 |
分類號 | C30B23/00(2006.01);C30B29/16(2006.01);C01G30/00(2006.01);C22B30/02(2006.01) | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 王濤;石建榮;潘善初;黃衛(wèi)青 | 申請(專利權(quán))人 | 廣西華銻化工有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 530221廣西壯族自治區(qū)南寧市良慶區(qū)南寧沿海經(jīng)濟走廊開發(fā)區(qū)私營工業(yè)園廣西華銻化工有限公司 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種單晶型、粒徑分布均勻的三氧化二銻生產(chǎn)方法及其裝置,是采用反射式銻白爐冶煉的方法,銻在反射式銻白爐經(jīng)熔化后,將空氣鼓入爐膛內(nèi)熔融的銻液面,使銻氧化成三氧化二銻爐氣,然后冷卻、結(jié)晶,從爐氣出口管排出,再用收塵系統(tǒng)捕集的過程,其特征在于:氧化成三氧化二銻的爐氣引出后,先經(jīng)過風(fēng)冷式反應(yīng)器,接著在結(jié)晶器中經(jīng)過三級冷卻并結(jié)晶,然后從爐氣出口管排出,再用收塵系統(tǒng)捕集得到單晶型、粒徑分布均勻且呈單峰、平均粒徑0.2~3.5μm、主成分Sb2O3 99.6%、325目篩余物少于0.003%、白度大于98.5%的高級三氧化二銻,該方法具有產(chǎn)能大、能耗低、爐子壽命長、自動化程度高、生產(chǎn)操作控制穩(wěn)定、原料適應(yīng)能力強、可產(chǎn)不同規(guī)格的三氧化二銻產(chǎn)品,有顯著的經(jīng)濟效益。 |
