磁控濺射鍍膜腔室、鍍膜機(jī)以及鍍膜方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111316908.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113774351B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113774351B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) C23C14/35（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 譚志 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢中維創(chuàng)發(fā)工業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 秦冉冉
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)關(guān)山大道473號(hào)光谷新發(fā)展國(guó)際中心寫(xiě)字樓B座第5、6層05-108室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種磁控濺射鍍膜腔室、鍍膜機(jī)以及鍍膜方法。該磁控濺射鍍膜腔室包括鍍膜罩，樣品臺(tái)以及多個(gè)由外到內(nèi)分布的磁控管組。其中，各磁控管組中具有偶數(shù)個(gè)磁控管且第1磁控管組的磁控管組中磁控管的數(shù)量≥4，第2磁控管組的磁控管組中磁控管的數(shù)量≥2，磁控管包括內(nèi)磁體和位于內(nèi)磁體兩側(cè)的兩個(gè)外磁體，內(nèi)磁體的極性與外磁體的極性相反。第1磁控管組中相鄰的兩個(gè)磁控管的外磁體的極性相反，所述第2磁控管組中相鄰的兩個(gè)磁控管的外磁體的極性相同。此時(shí)第2磁控管組中磁控管的磁力線會(huì)向外圍延伸，同時(shí)被第1磁控管組中磁控管的磁力線束縛，這樣可以有效提高等離子體的濺射縱深，進(jìn)而提高大尺寸基材表面鍍層厚度的均勻性。