一種新型光MOS繼電器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420501368.1 申請日 -
公開（公告）號 CN204103887U 公開（公告）日 2015-01-14
申請公布號 CN204103887U 申請公布日 2015-01-14
分類號 H03K17/785(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 陽琳玲 申請（專利權(quán)）人 廈門市硅兆光電科技有限公司
代理機構(gòu) 廈門龍格專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陽琳玲;廈門市硅兆光電科技有限公司
地址 361000 福建省廈門市湖里區(qū)悅?cè)A路117號A8-802室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種新型光MOS繼電器，其特征在于：輸入端由紅外LED二極管組成，其中輸入端的pin1連接紅外LED二極管的“+”極、輸入端的pin2連接紅外LED二極管的“-”極；輸出端由PDA和集成有ESD和反向恢復(fù)二極管的MOSFET組成，其中PDA的“+”極連接MOSFET的G極、PDA的“-”極連接MOSFET的S極；MOSFET的D極與輸出端的pin4、pin6連接，MOSFET的S極與輸出端的pin5連接；上述紅外LED二極管、PDA、MOSFET、ESD、反向恢復(fù)二極管均位于同一平面內(nèi)；輸入端和輸出端間通過透明或半透明樹脂的內(nèi)包封和外層黑色包封料包封組成。本實用新型使光MOS繼電器的抗靜電能力提高，輸入輸出之間的介質(zhì)耐壓提高，其通態(tài)、開關(guān)損耗均均有大幅度降低、也提高了開關(guān)速度。