單晶生長(zhǎng)爐（SiC）
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202130330723.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN306856378S | 公開（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN306856378S | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-28 |
| 分類號(hào) | 15-99 （13） | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 姚恒;姚泰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京宏泰晶智能裝備科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 肖軍 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市六合區(qū)六合經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)時(shí)代大道96號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 1.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的名稱：?jiǎn)尉L(zhǎng)爐（SiC）。2.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的用途：用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鋁等單晶體的制造設(shè)備。3.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要點(diǎn)：在于形狀。4.最能表明設(shè)計(jì)要點(diǎn)的圖片或照片：立體圖。 |
