凸點制作方法以及凸點結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910194787.9 申請日 -
公開（公告）號 CN102005396B 公開（公告）日 2012-12-05
申請公布號 CN102005396B 申請公布日 2012-12-05
分類號 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁萬春 申請（專利權(quán)）人 芯電半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 芯電半導(dǎo)體（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種凸點制作方法以及凸點結(jié)構(gòu)，其中，所述凸點制作方法包括：在晶片上沉積凸點下金屬層；在凸點下金屬層上形成光刻膠層，并曝光、顯影形成開口，所述開口中頂部橫截面大于底部橫截面，且底部露出凸點下金屬層；在開口內(nèi)填充金屬，形成金屬支柱；在金屬支柱頂部沉積焊料，去除所述光刻膠層及其底部的凸點下金屬層；高溫回流金屬支柱頂部的焊料，形成球狀凸點焊料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制作的凸點結(jié)構(gòu)中，金屬支柱與球狀凸點焊料間具有較大的接觸面積，從而提高了凸點的導(dǎo)電能力，且結(jié)構(gòu)簡單，工藝與現(xiàn)有技術(shù)相兼容。