再分布結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910194574.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101996900B 公開（公告）日 2012-09-26
申請公布號 CN101996900B 申請公布日 2012-09-26
分類號 H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梅娜;佟大明;章國偉 申請（專利權(quán)）人 芯電半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 牛崢;王麗琴
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種再分布結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：在晶圓上形成焊盤；在焊盤及晶圓表面形成第一絕緣層，第一絕緣層的開口與焊盤對應(yīng)，并對焊盤表面的氧化膜進行去除處理；在第一絕緣層及焊盤的表面形成種子層，種子層延伸至再分布凸點的位置，并對所述種子層進行烘焙；在所述種子層表面形成電鍍層；在電鍍層表面及第一絕緣層表面形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層的開口位置形成凸點下金屬層，在所述凸點下金屬層上形成再分布凸點。采用該方法能夠提高電鍍層表面平整度。