新型陰極靶及旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010189336.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113403591A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113403591A 申請公布日 2021-09-17
分類號 C23C14/34（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王守國;孫浩斌;姜文;劉瑋;張華 申請（專利權(quán)）人 山東晶陣新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 265607山東省煙臺市蓬萊市南王街道泊王村村北
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 所述的一種新型陰極靶及旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣方法，包括空心進(jìn)氣陰極和可移動磁體，其特征在于：陰極靶（101）的中間設(shè)有旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣口（104），在固定法蘭（102）的圓形套筒（106）上也設(shè)有旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣孔（103），這種旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣設(shè)計(jì)有利于弧根的旋轉(zhuǎn)，也有利于產(chǎn)生更輝光的等離子體電弧狀態(tài)；在陰極靶（101）背面設(shè)有徑向磁體，在靶外側(cè)設(shè)有可以前后可移動的磁體，該移動磁體同樣可用來調(diào)控等離子體電弧的輝光狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)靶材的均勻刻蝕，從而使鍍膜工件表面得到更光潔、致密的高質(zhì)量鍍膜膜層。