一種氮化鎵晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)的泄放氨工序和生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011455906.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112695373B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112695373B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-27 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B7/10;C30B29/40 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 喬焜;邵文鋒;林岳明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 國(guó)鎵芯科（深圳）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)華富街道新田社區(qū)彩田路3030號(hào)橄欖鵬苑B座2706 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化鎵晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)的泄放氨工序和生長(zhǎng)方法，屬于氮化鎵晶體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，泄放氨工序包括以下步驟：S1、反應(yīng)容器內(nèi)的液態(tài)氨自然揮發(fā)形成氣態(tài)氨氣，并排放至尾氣處理裝置中，直至反應(yīng)容器內(nèi)的壓強(qiáng)恢復(fù)至一個(gè)大氣壓；S2、打開(kāi)真空裝置，反應(yīng)容器內(nèi)的剩余氣態(tài)氨氣抽至尾氣處理裝置中；S3、啟動(dòng)氮供應(yīng)裝置，向反應(yīng)容器內(nèi)充入氮?dú)?，直至反?yīng)容器內(nèi)壓強(qiáng)恢復(fù)至一個(gè)大氣壓；S4、重復(fù)S2?S3步驟若干次，真空裝置抽出反應(yīng)容器內(nèi)的氣體，完成泄放氨工序；本發(fā)明通過(guò)氨氣自然排出、抽氣、充氮、再抽氣、再充氮的循環(huán)，將反應(yīng)容器內(nèi)部的氨氣濃度降至極低，從而大幅度地降低氨氣殘留于反應(yīng)容器內(nèi)，避免對(duì)操作者身體和環(huán)境造成的影響。 |
