一種基于溝槽原位摻雜多晶硅的TVS器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210662544.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114744025A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114744025A 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請（專利權(quán)）人 南京融芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 -
地址 211899江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈B座4層B401室、B402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于溝槽原位摻雜多晶硅的TVS器件及其制造方法，包括：重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底、掩膜層、第二導(dǎo)電類型離子注入?yún)^(qū)、第二導(dǎo)電類型原位摻雜多晶硅、頂部多晶硅層、金屬層、介質(zhì)層和鈍化層。本發(fā)明將溝槽原位摻雜多晶硅與高能離子注入技術(shù)相結(jié)合，使得TVS器件不僅能夠承受更大的浪涌電流，而且在相同的芯片尺寸上具有更好的雪崩特性，同時可以徹底解決現(xiàn)有TVS器件結(jié)構(gòu)中溝槽終端拐角處（A點）處存在的電場尖峰問題。