一種構(gòu)槽式功率金氧半場(chǎng)效晶體管新結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922440525.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN210897288U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210897288U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 李振道 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京融芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 211500江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈B座4層B401室、B402室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種構(gòu)槽式功率金氧半場(chǎng)效晶體管新結(jié)構(gòu)，至少包括一個(gè)N摻雜區(qū)或P摻雜區(qū)或P井區(qū)；所述N摻雜區(qū)和所述P摻雜區(qū)相間排列，即一個(gè)所述N摻雜區(qū)挨著一個(gè)所述P摻雜區(qū)再挨著一個(gè)N摻雜區(qū)，以此類(lèi)推；所述N摻雜區(qū)或P摻雜區(qū)或P井區(qū)在硅襯底外延片里面，本實(shí)用新型提供一個(gè)新的結(jié)構(gòu)，和其它結(jié)構(gòu)相比，可達(dá)到節(jié)省工藝流程與成本的目的，另一方面本實(shí)用新型使得器件電流與路徑阻值的乘積不易大于內(nèi)建寄生的晶體管的Vbe電壓讓三極管導(dǎo)通，因而容易維持原本雪崩崩潰(UIS)的能力及降低snapback發(fā)生的機(jī)率，本實(shí)用新型所以能完成中高電壓的產(chǎn)品，卻又不失過(guò)保護(hù)的能力，大大提升產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。?? |
