單晶棒的提段方法與采用該方法形成的單晶棒

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510075236.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105986312B 公開(kāi)（公告）日 2018-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN105986312B 申請(qǐng)公布日 2018-05-18
分類號(hào) C30B15/00;C30B29/60;C30B29/06 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 周浩;尹東坡;司佳勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河北流云新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 英利集團(tuán)有限公司;英利能源（中國(guó)）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
地址 071051 河北省保定市朝陽(yáng)北大街3399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種單晶棒的提段方法與采用該方法形成的單晶棒。該提段方法包括：步驟S1，單晶棒斷棱長(zhǎng)度為10～20mm時(shí)開(kāi)始提段；步驟S2，對(duì)單晶棒進(jìn)行提段。該方法中的步驟S1在單晶棒的斷棱長(zhǎng)度為10～20mm時(shí)開(kāi)始提段，使得熱量不會(huì)不斷地由液面向晶棒傳輸，不穩(wěn)定的單晶結(jié)構(gòu)再次被破壞的可能性較小，使得單晶棒的反延長(zhǎng)度較小，為直徑值的70％～80％，比采用現(xiàn)有提段方法制得的單晶棒的反延長(zhǎng)度小很多，使得單晶棒的可切片的數(shù)量有所增多、單晶棒的可利用率增高，降低了單晶棒的制作成本。