光刻工藝中的曝光場(chǎng)的尺寸選擇方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410061115.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN104865798B | 公開(kāi)(公告)日 | 2017-07-11 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104865798B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-07-11 |
分類號(hào) | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 | 分類 | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 欒會(huì)倩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 無(wú)錫迪思微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司;無(wú)錫迪思微電子有限公司 |
地址 | 214028 江蘇省無(wú)錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)新洲路8號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種光刻工藝中的曝光場(chǎng)的尺寸選擇方法,用于選擇掃描式光刻機(jī)和步進(jìn)式光刻機(jī)的曝光場(chǎng)尺寸,包括:獲取待生產(chǎn)的芯片尺寸xd×yd;獲取待光刻的晶圓的半徑R;定義橫軸方向上的兩個(gè)shot的中心距離晶圓中心的距離為X、縱軸方向上的兩個(gè)shot的中心距離晶圓中心的距離為Y、晶圓的去邊長(zhǎng)度d;掃描式光刻機(jī)的最大曝光場(chǎng)尺寸為xsc_max×ysc_max,步進(jìn)式光刻機(jī)的最大曝光場(chǎng)尺寸為xst_max×yst_max;xsc=ax×xd、ysc=ay×yd、xst=bx×xd、yst=by×yd;根據(jù)以下約束條件計(jì)算ax、bx、ay、by的值:(1)kx×ax×xd=lx×bx×xd=X,同時(shí)ky×ay×yd=ly×by×yd=Y;(2)xsc<xsc_max、ysc<ysc_max、xst<xst_max、yst<yst_max;(3)X+0.5xsc<R?d、Y+0.5ysc<R?d;(4)kx、ax、lx、bx、ky、ay、ly、by均為整數(shù)。 |
