一種光電信息泄漏防護薄膜、裝置及其制備方法和用途
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111586781.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114126394A | 公開(公告)日 | 2022-03-01 |
申請公布號 | CN114126394A | 申請公布日 | 2022-03-01 |
分類號 | H05K9/00(2006.01)I | 分類 | 其他類目不包含的電技術; |
發(fā)明人 | 曾子上;范彭宇 | 申請(專利權)人 | 北京伊斯普電子技術有限公司 |
代理機構 | 北京市隆安律師事務所 | 代理人 | 禹靜 |
地址 | 100076北京市大興區(qū)瀛海鎮(zhèn)忠興莊黃亦路7號伊斯普 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種光電信息泄漏防護薄膜,所述光電信息泄漏防護薄膜包括至少一個防護單元(2),其中,所述防護單元(2)包括疊層設置的功能層(21)和干涉濾光層(22),所述功能層(21)為同時具有電磁屏蔽功能和紅外吸收功能的材料,所述干涉濾光層(22)為透明的絕緣材料。本發(fā)明還公開了一種光電信息泄漏防護裝置、光電信息泄漏防護薄膜和裝置的制備方法以其在防止光電信息泄露中的用途。本發(fā)明中,具有導電性的功能層屏蔽電磁輻射,同時吸收部分紅外信號,干涉濾光層形成干涉抵消,增強對紅外信號的屏蔽,還同時促進了對電磁輻射的屏蔽。 |
