一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811652934.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109629003B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109629003B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | C30B29/40(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉京明;趙有文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東朗乾律師事務(wù)所 | 代理人 | 閆有幸;楊煥軍 |
| 地址 | 519000廣東省珠海市香洲區(qū)高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金瑞二路南側(cè)A1棟廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法，包括以下步驟：S1，對(duì)采用VGF法生長(zhǎng)單晶時(shí)使用的石英管、封帽及氮化硼坩堝進(jìn)行高溫退火處理；S2，采用VGF法生長(zhǎng)低濃度P型磷化銦單晶；本發(fā)明通過(guò)對(duì)石英管、封帽及氮化硼坩堝進(jìn)行高溫退火處理，充分去除了石英管、封帽及氮化硼坩堝中的羥基(OH)雜質(zhì)，從而降低了磷化銦單晶中的氫含量，進(jìn)而降低了磷化銦單晶中VInH4施主缺陷的濃度。?? |
