一種基于VGF法的晶體生長用雙層壁坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922095129.6 申請日 -
公開（公告）號 CN211005709U 公開（公告）日 2020-07-14
申請公布號 CN211005709U 申請公布日 2020-07-14
分類號 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 趙有文;盧偉;段滿龍;楊俊;劉京明 申請（專利權(quán)）人 珠海鼎泰芯源晶體有限公司
代理機構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 閆有幸;楊煥軍
地址 519000廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號8棟廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種基于VGF法的晶體生長用雙層壁坩堝，涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域；所述雙層壁坩堝包括內(nèi)坩堝，所述內(nèi)坩堝為由圓筒部與漏斗部結(jié)合構(gòu)成的一體成型結(jié)構(gòu)，所述圓筒部位于所述內(nèi)坩堝的上部，所述漏斗部位于所述內(nèi)坩堝的下部；其特征在于，還包括套設(shè)于所述內(nèi)坩堝的外壁的保溫層。本實用新型的雙層壁坩堝，在原有內(nèi)坩堝局部增加了保溫層結(jié)構(gòu)，在升溫的同時，能夠讓內(nèi)坩堝內(nèi)介質(zhì)的溫度均勻的增強，局部溫度穩(wěn)態(tài)升高，降低了出現(xiàn)孿晶和花晶的幾率。同時，本實用新型的雙層壁坩堝提高了熱場內(nèi)部的熱流密度，增加了整個晶體生長溫度場的縱向溫度梯度，進(jìn)一步提高了磷化銦單晶率。??