基于VGF法晶體生長用石英封帽、晶體生長裝置及晶體生長工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911411298.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110952133A | 公開(公告)日 | 2020-04-03 |
申請公布號 | CN110952133A | 申請公布日 | 2020-04-03 |
分類號 | C30B11/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 趙有文;沈桂英;段滿龍;楊俊;盧偉;劉鵬 | 申請(專利權(quán))人 | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣東朗乾律師事務(wù)所 | 代理人 | 閆有幸 |
地址 | 519000廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號8棟廠房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種基于VGF法晶體生長用石英封帽、晶體生長裝置以及晶體生長工藝;所述石英封帽與石英管配合使用以實(shí)現(xiàn)石英管的密封,石英管內(nèi)密封有晶體生長用坩堝,坩堝內(nèi)盛裝有晶體生長用原材料,所述原材料與石英封帽之間設(shè)置有自由空間;石英管具有開口;所述石英封帽包括蓋住石英管的開口的蓋體;其特征在于,所述石英封帽具有溫控部,所述溫控部凸出所述蓋體向上,所述溫控部具有通向所述石英管的內(nèi)腔。通過對VGF法晶體生長用的石英封帽、晶體生長裝置以及加熱工藝的配合改進(jìn),能夠比較容易的對自由空間的蒸氣壓進(jìn)行控制;讓自由空間的蒸氣壓始終處于穩(wěn)定的狀態(tài),從而得到均勻摻雜的單晶體。?? |
