底發(fā)射多結(jié)VCSEL陣列

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080063283.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114450862A 公開（公告）日 2022-05-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN114450862A 申請(qǐng)公布日 2022-05-06
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜烔錫;賀永祥;錫瓦庫馬爾·蘭卡;汪洋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳瑞識(shí)智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳彥如
地址 518057廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南環(huán)路29號(hào)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)大廈一期1401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 底發(fā)射多結(jié)VCSEL陣列（200、300、400）包括第一反射器區(qū)域、多結(jié)有源區(qū)域（101、201、301、401）和第二反射器區(qū)域。多結(jié)VCSEL陣列（200、300、400）通過倒裝芯片鍵合被附接至基座（213、317、414）。多結(jié)VCSEL陣列（200、300、400）還包括在第一反射器區(qū)域與基板（204、305、405）之間形成的接觸層（304、404）。多結(jié)VCSEL陣列（200、300、400）通過倒裝芯片鍵合被附接至基座（213、317、414）。