一種半導體光源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121495426.0 申請日 -
公開（公告）號 CN216450673U 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN216450673U 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L33/60（2010.01）I;H01L33/50（2010.01）I;H01L33/48（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃偉;曹宇星;汪洋 申請（專利權）人 深圳瑞識智能科技有限公司
代理機構 深圳市深佳知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 陳彥如
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南環(huán)路29號留學生創(chuàng)業(yè)大廈一期1401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導體光源，包括基板；設置在基板上的發(fā)光芯片；透光介質層以及光學透鏡；其中，透光介質層包括和發(fā)光芯片的發(fā)光面貼合連接的第一表面、背離發(fā)光芯片一側且貼合光學透鏡的入射面的第二表面、以及由第二表面的邊緣延伸至第一表面邊緣的側表面；光學透鏡和基板之間、發(fā)光芯片的側面留有未被填充的空腔空間；透光介質層的側表面和/或光學透鏡的部分表面可對經(jīng)過透光介質層入射的光線反射。本申請中利用透光介質層增大發(fā)光芯片的發(fā)光面中光能的導出效率；且部分光線入射至透光介質層的側表面可反射，避免該部分光線從光學透鏡邊緣發(fā)散出射，提升發(fā)光芯片輸出光線的利用率。