具有非隔離發(fā)射器的VCSEL陣列

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080047509.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114175428A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114175428A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類(lèi)號(hào) H01S5/183（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜烔錫;賀永祥;錫瓦庫(kù)馬爾·蘭卡;汪洋 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳瑞識(shí)智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市順天達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 車(chē)大瑩;郭偉剛
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)高新南環(huán)路46號(hào)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)大廈二期1802室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種包括多個(gè)非隔離VCSEL發(fā)射器的VCSEL陣列。每個(gè)非隔離VCSEL發(fā)射器包括第一反射器區(qū)、限流氧化層、氧化縫隙、有源區(qū)和第二反射器區(qū)。限流氧化層和氧化縫隙通過(guò)單獨(dú)的氧化孔氧化鋁含量較高的層而形成。氧化縫隙周?chē)袉为?dú)的氧化孔。多個(gè)非隔離VCSEL結(jié)構(gòu)的第一反射器區(qū)是連接的，使得它們不被任何隔離結(jié)構(gòu)彼此完全隔離，多個(gè)非隔離VCSEL結(jié)構(gòu)的第二反射器區(qū)域是連接的，使得它們不被任何隔離結(jié)構(gòu)彼此完全隔離。