具有非隔離發(fā)射器的VCSEL陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202080047509.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114175428A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114175428A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01S5/183（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜烔錫;賀永祥;錫瓦庫馬爾·蘭卡;汪洋 申請（專利權(quán)）人 深圳瑞識智能科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市順天達專利商標代理有限公司 代理人 車大瑩;郭偉剛
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)高新南環(huán)路46號留學(xué)生創(chuàng)業(yè)大廈二期1802室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種包括多個非隔離VCSEL發(fā)射器的VCSEL陣列。每個非隔離VCSEL發(fā)射器包括第一反射器區(qū)、限流氧化層、氧化縫隙、有源區(qū)和第二反射器區(qū)。限流氧化層和氧化縫隙通過單獨的氧化孔氧化鋁含量較高的層而形成。氧化縫隙周圍有單獨的氧化孔。多個非隔離VCSEL結(jié)構(gòu)的第一反射器區(qū)是連接的，使得它們不被任何隔離結(jié)構(gòu)彼此完全隔離，多個非隔離VCSEL結(jié)構(gòu)的第二反射器區(qū)域是連接的，使得它們不被任何隔離結(jié)構(gòu)彼此完全隔離。