一種CMOS開(kāi)關(guān)芯片電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200920072695.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN201409119Y 公開(kāi)（公告）日 2010-02-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN201409119Y 申請(qǐng)公布日 2010-02-17
分類(lèi)號(hào) H03K17/687(2006.01)I 分類(lèi) 基本電子電路;
發(fā)明人 陶?qǐng)@林 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海海德眾業(yè)技術(shù)創(chuàng)新工程有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海世貿(mào)專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 代理人 上海益侃微電子有限公司;上海海德眾業(yè)技術(shù)創(chuàng)新工程有限公司;上海芯強(qiáng)微電子股份有限公司
地址 201400上海市奉賢區(qū)南橋鎮(zhèn)解放東路121號(hào)501-26
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種CMOS開(kāi)關(guān)芯片電路，包括NMOS管和PMOS管，其特征在于NMOS管的襯底接地，其源極通過(guò)第一電阻接輸出端，漏極通過(guò)第二電阻接輸入端，第一PMOS管的源極接輸入端，漏極接輸出端，第一PMOS管的襯底接襯底偏置電路，該襯底偏置電路還與輸入端和輸出端連接。與傳統(tǒng)CMOS開(kāi)關(guān)芯片電路相比，本實(shí)用新型可以在保持一定低導(dǎo)通電阻的情況下實(shí)現(xiàn)高的傳輸速率和帶寬，同時(shí)可以有效提高開(kāi)關(guān)芯片的ESD性能。