一種枝晶鉑修飾的微電極陣列及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710203187.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108652618B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN108652618B 申請公布日 2021-09-07
分類號 A61B5/263;A61B5/283;A61B5/293;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 醫(yī)學(xué)或獸醫(yī)學(xué)；衛(wèi)生學(xué);
發(fā)明人 夏凱;吳天準(zhǔn);孫濱;曾齊 申請（專利權(quán)）人 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;熊永強
地址 518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗大學(xué)城學(xué)苑大道1068號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種枝晶鉑修飾的微電極陣列，所述微電極陣列的電極表面設(shè)置有枝晶鉑修飾層。該微電極陣列以枝晶鉑為表面修飾層，修飾層與微電極基底的結(jié)合力較好，不容易脫落導(dǎo)致電極失效，并且修飾后的微電極表面積極大地增加，其電化學(xué)阻抗明顯降低，電極電荷注入容量和電荷存儲能力大大增加，這有利于降低植入的系統(tǒng)功耗，改善電刺激效果，同時修飾層具有良好的生物相容性以及機械穩(wěn)定性，使其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用大大增加。本發(fā)明還提供了一種枝晶鉑修飾的微電極陣列的制備方法。以電化學(xué)沉積的方式，將微電極陣列的表面修飾了一層枝晶鉑修飾層，該方法溶液配制簡單，且無其他有毒物質(zhì)如鉛等添加劑，條件溫和、簡單易行。