釩酸鉍光陽(yáng)極及其制備方法、光電化學(xué)器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110597660.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113373470A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113373470A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) C25B11/052（2021.01）I;C25B11/087（2021.01）I;C25B11/077（2021.01）I;C25D9/04（2006.01）I;C25B1/04（2021.01）I;C25B1/55（2021.01）I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 馬明;張閃閃;李蔣;李偉民;張杰;楊春雷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;黃進(jìn)
地址 518055廣東省深圳市南山區(qū)西麗大學(xué)城學(xué)苑大道1068號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種釩酸鉍光陽(yáng)極，包括透明導(dǎo)電玻璃基片和形成在透明導(dǎo)電玻璃基片上的BiVO4薄膜，其中，所述BiVO4薄膜經(jīng)過(guò)浸泡于金屬離子的無(wú)機(jī)鹽溶液中并使用紫外光線照射的處理工藝以使得表面富含氧缺陷。其制備方法包括：S10、提供透明導(dǎo)電玻璃基片并對(duì)透明導(dǎo)電玻璃基片進(jìn)行預(yù)處理；S20、在進(jìn)行預(yù)處理后的透明導(dǎo)電玻璃基片上沉積具有納米多孔結(jié)構(gòu)的BiVO4薄膜；S30、將BiVO4薄膜浸泡于金屬離子的無(wú)機(jī)鹽溶液中并使用紫外光線照射，制備獲得述所釩酸鉍光陽(yáng)極。本發(fā)明中，通過(guò)金屬離子溶液與紫外光線共同作用將氧缺陷引入釩酸鉍光陽(yáng)極表面，豐富的氧缺陷促進(jìn)了光生載流子的高效分離，以其作為光電陽(yáng)極用于催化分解水，表現(xiàn)出優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)化性能。