一種等離子體CVD裝置的腔內(nèi)臺升降機構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920910781.6 申請日 -
公開（公告）號 CN210657129U 公開（公告）日 2020-06-02
申請公布號 CN210657129U 申請公布日 2020-06-02
分類號 C23C16/458(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙月;洪麗;公占飛 申請（專利權(quán)）人 新優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集團有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 310053浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道濱康路680號1幢208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種等離子體CVD裝置的腔內(nèi)臺升降機構(gòu)，機架的工作平臺上設(shè)有等離子腔，等離子腔下端的開口處設(shè)有腔體法蘭，工作平臺下方的機架上豎直設(shè)有導(dǎo)軌，升降機構(gòu)包括設(shè)置在導(dǎo)軌上由電機驅(qū)動的升降座，升降座的一側(cè)設(shè)有水平結(jié)構(gòu)的升降臺，升降臺上方設(shè)有用于密封等離子腔下端開口的升降法蘭，升降臺與升降法蘭之間設(shè)有緩沖機構(gòu)，等離子體CVD裝置的腔內(nèi)臺通過支撐管固定在升降臺上，腔內(nèi)臺位于升降法蘭的上方且與等離子腔下端的開口相對應(yīng)。本實用新型的升降機構(gòu)在腔內(nèi)臺升降時具有緩沖功能，等離子腔密封性好且升降機構(gòu)的使用壽命長，具有很高的實用價值。??