一種等離子體CVD裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920910976.0 申請日 -
公開（公告）號 CN210657131U 公開（公告）日 2020-06-02
申請公布號 CN210657131U 申請公布日 2020-06-02
分類號 C23C16/513(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 洪麗;趙月;公占飛 申請（專利權）人 新優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集團有限公司
代理機構 杭州杭誠專利事務所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 310053浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道濱康路680號1幢208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種等離子體CVD裝置，機架的工作平臺上固定有腔體，腔體的頂部設有微波轉(zhuǎn)換器，腔體外壁上設有環(huán)繞腔體的環(huán)形進氣道及環(huán)形抽氣道，腔體中部的外周設有若干觀察窗，腔體的下部設有開口，腔體的外壁上設有水冷機構，機架上設有升降機構，升降機構包括一升降臺及設置在升降臺上用于密封腔體開口的升降法蘭，升降臺與升降法蘭之間設有緩沖機構，用于安置基材的腔內(nèi)臺通過支撐管固定在升降臺上，腔內(nèi)臺位于升降法蘭的上方且與腔體的開口對應，腔內(nèi)臺為中空結構，腔內(nèi)臺的下部設有防泄漏裝置。本實用新型的等離子體CVD裝置具有結構簡單，腔體密封性好，微波泄漏少且使用壽命長的優(yōu)點，具有很高的實用價值。??