等離子體CVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111164996.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113913780A 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113913780A 申請公布日 2022-01-11
分類號 C23C16/27（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙月 申請（專利權(quán)）人 新優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集團有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)濱康路680號1幢208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體CVD設(shè)備，腔體包括由底板、側(cè)壁及壁及頂蓋圍合構(gòu)成的內(nèi)腔，側(cè)壁內(nèi)設(shè)有側(cè)壁冷卻腔，頂蓋上設(shè)有均勻進氣裝置，底板上設(shè)有均勻排氣裝置，內(nèi)腔的下部設(shè)有用于放置基材的平臺，平臺內(nèi)部設(shè)有平臺冷卻腔，機架上的微波源與波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換裝置連接，波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換裝置的同軸輸出端外導(dǎo)體與底板上的微波輸入孔連接，內(nèi)導(dǎo)體與平臺冷卻腔底部的開口相連，內(nèi)導(dǎo)體內(nèi)套設(shè)有冷卻液輸入管。本發(fā)明的等離子體CVD設(shè)備具有結(jié)構(gòu)簡單，效率高、基材取放操作方便且腔體體積小的優(yōu)點。