等離子體CVD裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910523742.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110804732B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN110804732B 申請公布日 2021-09-17
分類號 C23C16/458（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 洪麗;趙月;公占飛 申請（專利權(quán)）人 新優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 310053浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道濱康路680號1幢208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體CVD裝置，機(jī)架的工作平臺上固定有一個圓筒狀的腔體，腔體的頂部設(shè)有微波轉(zhuǎn)換器，腔體外壁上設(shè)有環(huán)繞腔體的環(huán)形進(jìn)氣道及環(huán)形抽氣道，腔體中部的外周設(shè)有若干觀察窗，腔體的下部設(shè)有開口，機(jī)架上設(shè)有升降機(jī)構(gòu)，升降機(jī)構(gòu)包括一升降臺及設(shè)置在升降臺上用于密封腔體開口的升降法蘭，升降臺與升降法蘭之間設(shè)有緩沖機(jī)構(gòu)，用于安置基材的腔內(nèi)臺通過支撐管固定在升降臺上，腔內(nèi)臺位于升降法蘭的上方且與腔體的開口對應(yīng)，腔內(nèi)臺的下部設(shè)有防泄漏裝置。本發(fā)明的等離子體CVD裝置具有結(jié)構(gòu)簡單，腔體密封性好，微波泄漏少且使用壽命長的優(yōu)點(diǎn)，具有很高的實(shí)用價值。