一種低阻高透過率的ITO導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821717136.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209071007U 公開（公告）日 2019-07-05
申請公布號 CN209071007U 申請公布日 2019-07-05
分類號 H01B5/14（2006.01）I; H01B1/08（2006.01）I; H01B1/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華建軍; 盧相學(xué) 申請（專利權(quán)）人 惠州市天譽科技有限公司
代理機構(gòu) 惠州創(chuàng)聯(lián)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙瑾
地址 516227 廣東省惠州市惠陽區(qū)鎮(zhèn)隆鎮(zhèn)甘陂村永華工業(yè)園H棟廠房一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種低阻高透過率的ITO導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，包括表層ITO層，設(shè)置在所述表層ITO層下方的Ag膜層、設(shè)置在所述Ag膜層下方的SiO2膜層、以及設(shè)置在所述SiO2膜層下方的透明塑料基材層。通過設(shè)置Ag膜層和SiO2膜層，可提高導(dǎo)電膜的柔韌性和導(dǎo)電性能。表層ITO層不僅可以防止Ag層氧化、提高薄膜耐磨性，還可以作為減反層來提高薄膜可見光透過率。本實用新型的方阻低、透過率高，還能起到隔熱、低輻射，以及很好的電磁屏蔽效果。