一種斷線測量方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811417468.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111218714B 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN111218714B 申請公布日 2021-06-08
分類號 C30B15/26;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭力;周銳;李僑;徐戰(zhàn)軍 申請（專利權(quán)）人 騰沖隆基硅材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京挺立專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 韓暢
地址 679100 云南省保山市騰沖市騰越鎮(zhèn)上綺羅社區(qū)栗樹園小區(qū)114號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種斷線測量方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)，能夠解決現(xiàn)有測量方法無法準(zhǔn)確判斷是否斷線的問題。具體技術(shù)方案為：對獲取的單晶生長圖像的當(dāng)前幀與前一幀進(jìn)行處理，得到所述圖像當(dāng)前幀中運動像素的數(shù)量；在單位時間內(nèi)，統(tǒng)計得到所有所述圖像的幀中運動像素的數(shù)量和單晶生長時間的信息；根據(jù)所述信息確定所述單晶是否斷線。用于判斷晶體等徑生長過程是否斷線。