一種連續(xù)制備大面積納米絨面的反應離子刻蝕裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110331324.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113066745A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066745A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L21/677;H01L31/18;H01L21/3065;H01L31/0236;H01J37/20;H01J37/305;B82Y40/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁建寧;孫濤;李綠洲;上官泉元 申請（專利權(quán)）人 常州比太科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 丁博寒
地址 212013 江蘇省鎮(zhèn)江市學府路301號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種連續(xù)制備大面積納米絨面的反應離子刻蝕方法，包括S1：將預制絨的硅片進行清洗和預處理；S2：將去除損傷后的硅片放至裝載臺的載板后，依次通過裝載腔和工藝緩沖腔進入工藝腔；S3：打開抽真空設備，SF6、O2和SiCl4刻蝕氣體從線性離子源布氣孔均勻的進入工藝腔；S4：打開射頻電源和磁場裝置，刻蝕氣體電離產(chǎn)生等離子體；高能離子在電場作用下垂直地射向樣品表面，進行物理轟擊，完成硅片在工藝腔內(nèi)的刻蝕；S5：硅片隨著載板從工藝腔依次經(jīng)過卸載緩沖腔和卸載腔，最后至卸載臺被取出。本發(fā)明將多個大尺寸線性離子源組合在一起，實現(xiàn)大面積均勻刻蝕。通過裝載腔、卸載腔和輸送機構(gòu)的協(xié)同作用可以實現(xiàn)硅片的連續(xù)動態(tài)刻蝕，大大提高了RIE產(chǎn)能。