一種太陽能電池發(fā)射結(jié)制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110281240.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113066896A | 公開(公告)日 | 2021-07-02 |
申請公布號 | CN113066896A | 申請公布日 | 2021-07-02 |
分類號 | H01L31/18;H01L31/0352 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 閆路;上官泉元 | 申請(專利權(quán))人 | 常州比太科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳倩 |
地址 | 213164 江蘇省常州市武進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種太陽能電池發(fā)射結(jié)制備方法,包括如下步驟:S1.預(yù)先采用下鍍膜的真空鍍膜方式在硅片表面制備摻雜非晶硅薄膜,即硅片平躺放置在載板上,硅片邊緣被載板托舉覆蓋,摻雜非晶硅薄膜沉積在硅片的下表面;S2.進(jìn)入高溫爐中進(jìn)行擴(kuò)散;S3.擴(kuò)散完成后降低爐溫,在高溫爐里通入氧氣對摻雜非晶硅薄膜進(jìn)行氧化處理,便于下一道清洗;S4.硅片出爐冷卻、清洗,完成發(fā)射結(jié)制備。本發(fā)明通過下鍍膜的真空鍍膜方式,保護(hù)硅片邊緣防止繞鍍,簡化后續(xù)清洗工藝步驟;降低了擴(kuò)散溫度,減小了對硅基體造成的熱損傷,有利于電池效率的提升,降低了制造能耗,有利于成本控制;總工藝時間縮減至現(xiàn)有技術(shù)的1/2,生產(chǎn)效率顯著提升。 |
