一種新型光探測器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210234337.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114639745A 公開（公告）日 2022-06-17
申請公布號 CN114639745A 申請公布日 2022-06-17
分類號 H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;G02B5/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王明紅;楊凡 申請（專利權(quán)）人 聊城大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 深圳叁眾知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 252000山東省聊城市東昌府區(qū)湖南路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種新型光探測器及其制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是屬于一種新型光探測器及其制作方法。包括沿中心軸方向依次設(shè)置的襯底、N型電極層、第一間隔層、光吸收層、第二間隔層、P型電極層、介質(zhì)層以及超結(jié)構(gòu)，在P型電極層上形成有P電極，在N型電極層上形成有N電極，介質(zhì)層與超結(jié)構(gòu)通過刻蝕形成疊置在P型電極層上的第一圓柱形臺體，第一間隔層、光吸收層、第二間隔層以及P型電極層通過刻蝕形成疊置在N型電極層上的第二圓柱形臺體。本發(fā)明具有提高光電轉(zhuǎn)換效率以及實(shí)現(xiàn)高效率的偏振轉(zhuǎn)換的積極效果。