一種高產(chǎn)額自成靶D-D中子管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110808804.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113543448A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113543448A 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H05H3/06 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 劉洋;李康;汪永安;于軼鵬;李剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安冠能中子探測(cè)技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 王少文
地址 710123 陜西省西安市長(zhǎng)安區(qū)韋曲街辦幸家坡村（西京學(xué)院內(nèi)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種高產(chǎn)額自成靶D?D中子管及其制作方法，以解決在測(cè)井、在線分析等應(yīng)用中，現(xiàn)有同位素中子源存在設(shè)備維修和操作防護(hù)困難、14MeV可控中子源存在防護(hù)困難和防護(hù)裝置龐大、D?D可控中子源存在中子產(chǎn)額不高的技術(shù)問(wèn)題。中子管包括管殼組件、芯柱組件、氣壓調(diào)節(jié)組件、潘寧離子源組件、加速電極及自成靶組件；通電加熱氣壓調(diào)節(jié)組件釋放出一定量的氘氣，潘寧離子源組件使氘氣電離而產(chǎn)生氘離子，氘離子經(jīng)加速電極加速后轟擊自成靶靶面，發(fā)射出快中子；同時(shí)還提出上述高產(chǎn)額自成靶D?D中子管的制作方法。本發(fā)明D?D中子管在不使用情況下可以關(guān)斷電源，其工作溫度可達(dá)到175℃，D?D中子產(chǎn)額達(dá)到1×107n/s以上。