一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210290019.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102769023A 公開（公告）日 2012-11-07
申請公布號 CN102769023A 申請公布日 2012-11-07
分類號 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮文泉;武樂可;鐘偉榮;熊威 申請（專利權(quán)）人 上海藍(lán)寶光電材料有限公司
代理機構(gòu) 上海三和萬國知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 上海藍(lán)寶光電材料有限公司
地址 201616 上海市松江區(qū)文俊路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管，包括有若干發(fā)光單元，該發(fā)光單元形成于同一襯底上，發(fā)光單元之間由絕緣溝道隔開，各發(fā)光單元通過金屬連接線串聯(lián)或并聯(lián)，絕緣溝道中具有填充層，所述金屬連接線位于該填充層上；發(fā)光單元包括有一層N型氮化鎵半導(dǎo)體層和一層P型氮化鎵半導(dǎo)體層，P型氮化鎵半導(dǎo)體層上具有透明導(dǎo)電膜和正電極，N型氮化鎵半導(dǎo)體層上具有負(fù)電極；填充層由絕緣耐熱材料以旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成。利用旋轉(zhuǎn)機涂布一層填充層，將各發(fā)光單元之間的絕緣溝道加以填充，然后再利用回蝕的方式，不管ICP深刻蝕后的側(cè)壁形貌如何，都可以加以填充，最后將發(fā)光單元的表面曝露出來，可防止因發(fā)光單元高度太大而造成斷線或連線不佳。