一種超結(jié)MOSFET的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210292876.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102931090B 公開(kāi)（公告）日 2015-06-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN102931090B 申請(qǐng)公布日 2015-06-03
分類(lèi)號(hào) H01L21/336(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳橋梁;任文珍;陳仕全;馬治軍;杜忠鵬 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 西安龍飛電氣技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安新思維專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司;陜西龍飛新能源科技有限公司
地址 710021 陜西省西安市鳳城十二路1號(hào)出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種超結(jié)MOSFET的制造方法。本發(fā)明通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)：提供n型重?fù)诫s的n+襯底，并在n+襯底上形成n型外延層，之后形成p阱區(qū)、復(fù)合緩沖層；在硅片上生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層；通過(guò)光刻場(chǎng)氧化層界定出器件元胞區(qū)，以及預(yù)留部分場(chǎng)氧作為源區(qū)n+注入的阻擋層；生長(zhǎng)柵氧化層，淀積多晶硅，并通過(guò)光刻界定出多晶硅柵極的區(qū)域；用多晶硅層及場(chǎng)氧層作為源區(qū)n型雜質(zhì)離子注入的阻擋層，并進(jìn)行推阱形成源區(qū)n+；與整個(gè)半導(dǎo)體硅片表面淀積介質(zhì)層；通過(guò)光刻，界定出接觸孔區(qū)域，并進(jìn)行介質(zhì)層刻蝕，刻蝕出接觸孔；在介質(zhì)層上淀積金屬層，并刻蝕。本發(fā)明可以用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造工藝實(shí)現(xiàn)，不會(huì)增加工藝的難度，從而降低生產(chǎn)成本。