改善雪崩能力的超結(jié)終端結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011005472.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112349769A 公開（公告）日 2021-02-09
申請公布號 CN112349769A 申請公布日 2021-02-09
分類號 H01L29/06(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖曉軍;張園園;張軍亮 申請（專利權(quán)）人 西安龍飛電氣技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 李罡
地址 710018陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城十二路凱瑞A座304-04室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種改善雪崩能力的超結(jié)終端結(jié)構(gòu)制造方法，在N+襯底上生長N?外延；在N?外延注入N型雜質(zhì)，在終端區(qū)的注入尺寸為X3＞X2＞X1；在N?外延表面，刻蝕出深溝槽后生長P型外延，使之填充滿深溝槽；進(jìn)行CMP工藝，將深溝槽外的P型外延及N?外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超結(jié)結(jié)構(gòu)；通過PW光刻板注入體區(qū)并退火形成PWELL區(qū)；淀積場氧層成并回刻，通過柵氧、多晶硅淀積回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N?source；淀積ILD并回刻，孔注，最后淀積金屬并回刻，形成器件的最終結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在相同的雪崩能力要求下，可以有效的減小終端面積，提高器件的電流處理能力，降低器件成本。??