可改善雪崩能力的超結半導體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310491435.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103560086B 公開（公告）日 2016-08-31
申請公布號 CN103560086B 申請公布日 2016-08-31
分類號 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜貫軍;陳橋梁;陳仕全;馬治軍;杜忠鵬 申請（專利權）人 西安龍飛電氣技術有限公司
代理機構 西安新思維專利商標事務所有限公司 代理人 西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司;陜西龍飛新能源科技有限公司;龍騰半導體股份有限公司;西安龍飛電氣技術有限公司
地址 710021 陜西省西安市鳳城十二路1號出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可改善雪崩能力的超結半導體器件的制備方法。傳統(tǒng)較高的P柱摻雜濃度加劇了橫向擴散使得導通電阻相應增大，且P柱與N柱電荷的失衡使得擊穿電壓的降低。本發(fā)明利用外延工藝，形成N型外延層；進行硼離子注入形成P型N型外延層；硼離子注入劑量逐次增加，然后在高溫下推結形成P型與N型交替的外延層；注入硼離子形成Pbody區(qū)；使用干法刻蝕多晶硅形成多晶硅柵電極；注入砷離子，形成N+源區(qū)；在整個器件的上表面淀積一層鋁，并刻蝕鋁形成源金屬電極，背面金屬化形成漏電極。本發(fā)明所得的超結半導體器件在提高了超結半導體器件的雪崩能力同時減小了導通電阻。