超結(jié)器件的非平衡結(jié)終端結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210009183.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102694027B 公開（公告）日 2015-08-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN102694027B 申請(qǐng)公布日 2015-08-19
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜貫軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安龍飛電氣技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 李罡
地址 710021 陜西省西安市鳳城十二路1號(hào)出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種超結(jié)器件的非平衡結(jié)終端結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的結(jié)終端區(qū)設(shè)置若干個(gè)摻雜濃度不同的均勻P柱，根據(jù)各處的橫向電場分布情況從版圖設(shè)計(jì)上進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整P柱的有效離子注入面積，使達(dá)到擊穿電壓時(shí)P柱區(qū)完全耗盡，所有P柱均是在P柱掩膜板掩膜下同時(shí)注入，從而控制了結(jié)終端區(qū)的各P柱的受主離子總量，并通過多次外延多次離子注入之后進(jìn)行長時(shí)間高溫推結(jié)形成摻雜濃度不同的幾個(gè)均勻的P柱。本發(fā)明可以有效地改善結(jié)終端器件的擊穿電壓特性，并且具有較短的結(jié)終端長度，使得器件的總體器件面積得到縮小，在相同的芯片面積上進(jìn)一步減小了器件導(dǎo)通電阻。