一種用于生長高質(zhì)量碳化硅晶體原料提純的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910317300.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110016718A 公開（公告）日 2019-07-16
申請公布號 CN110016718A 申請公布日 2019-07-16
分類號 C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 康淮;陳鵬磊;高冰;劉勝 申請（專利權(quán)）人 浙江凱成半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 代理人 天通凱成半導(dǎo)體材料有限公司
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市鹽官鎮(zhèn)建設(shè)路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種一種用于生長高質(zhì)量碳化硅晶體原料提純的處理方法，在PVT法生長碳化硅晶體前，將盛有β-?SiC粉末的石墨坩堝放入高溫加熱爐中，在氬氣氣氛中進行循環(huán)蒸發(fā)冷凝處理。本發(fā)明使用β-?SiC粉末代替α-?SiC粉末，并采用循環(huán)蒸發(fā)冷凝的方式對β-?SiC粉末進行提純，能有效的降低原料和籽晶的溫度梯度，減少粉料的石墨化，并且純化過程去除了粉末中的雜質(zhì)，減少了SiC粉末結(jié)塊，同時生成了粒度均勻的SiC粉末能顯著的改善氣相傳輸和升華速率。