一種片上電阻

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121497140.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216015364U 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN216015364U 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類(lèi)號(hào) H01L23/64（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 應(yīng)子罡;徐秀波;李廣輝;吳宗桂;楊麗麗;張雄波 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京國(guó)科天迅科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王毅
地址 100744北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)科谷一街8號(hào)院6號(hào)樓7層701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種片上電阻，涉及電阻技術(shù)領(lǐng)域，所述片上電阻包括具有第一寬度的多晶硅層；其中，所述第一寬度為0.18um，本實(shí)用新型通過(guò)創(chuàng)造性地將多晶硅電阻寬度尺寸由現(xiàn)有技術(shù)中的1um減小到有源管的最小柵寬尺寸0.18um，大大降低了片上電阻的面積。即利用了有源管的最小柵寬尺寸實(shí)現(xiàn)的更小寬度的多晶硅電阻，同片外方案相比，使得直流失調(diào)消除相應(yīng)的電路減小了4個(gè)芯片管腳和兩個(gè)片外電容，同片上方案相比，片上電阻面積至少減小到原來(lái)的1/3。