砷化鎵晶體生長用熱場裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820004406.7 申請日 -
公開（公告）號 CN201158722Y 公開（公告）日 2008-12-03
申請公布號 CN201158722Y 申請公布日 2008-12-03
分類號 C30B15/14(2006.01);C30B29/42(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 孫士臻;賈寶申;張洪寶 申請（專利權(quán)）人 大慶佳昌科技有限公司
代理機構(gòu) 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 大慶佳昌科技有限公司;大慶佳昌晶能信息材料有限公司
地址 163316黑龍江省大慶市高新區(qū)創(chuàng)業(yè)中心A座322室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種砷化鎵晶體生長用熱場裝置，包括坩堝加熱器和保溫裝置，在加熱器的外圍設(shè)置保溫裝置，在坩堝口部上方裝有觀測棒，所述的加熱器包括底部加熱器、下加熱器、上加熱器和頂加熱器，所述的底部加熱器為盤狀，裝于坩堝底部；所述的下加熱器和上部加熱器均為圓筒狀，分別裝于坩堝下部和上部的周圍；所述的后加熱器為直徑小于所述的坩堝的筒狀，裝于坩堝的頂部上方。其優(yōu)點是：能夠提供相對穩(wěn)定的生長砷化鎵晶體所需要的溫度場，具有適當(dāng)?shù)臏囟忍荻龋貏e設(shè)置的頂加熱器裝置可以對生長出的砷化鎵單晶直接進行高溫退火。結(jié)構(gòu)簡單，方便宜行，操作容易。能夠很容易的快速生長出大直徑(100mm～150mm)、低位錯密度的砷化鎵單晶。