PECVD鍍膜裝置的電極結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320858578.1 申請日 -
公開（公告）號 CN203653694U 公開（公告）日 2014-06-18
申請公布號 CN203653694U 申請公布日 2014-06-18
分類號 C23C16/50(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 呂旭東;陳立國;李海燕;張受業(yè);陳偉岸;賀艷;趙萌;朱惠欽 申請（專利權）人 北京北印東源新材料科技有限公司
代理機構 北京慶峰財智知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京北印東源新材料科技有限公司
地址 101407 北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雁棲東二路8號1幢1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種PECVD鍍膜裝置的電極結構。該PECVD鍍膜裝置的電極結構包括：第一電極對，第一電極對包括相對設置的第一電極輥和第二電極輥，第一電極輥內(nèi)設置有第一內(nèi)磁路，第二電極輥內(nèi)設置有第二內(nèi)磁路；第二電極對，第二電極對的兩個電極的中心連線與第一電極輥和第二電極輥的中心連線相互垂直并對稱布置。本實用新型所提供的PECVD鍍膜裝置的電極結構，能夠降低放電電壓，較大程度避免誤放電，降低能源消耗并提升膜面質(zhì)量。