PECVD鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310722518.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103695870A 公開（公告）日 2014-04-02
申請公布號 CN103695870A 申請公布日 2014-04-02
分類號 C23C16/513(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 陳立國;呂旭東;李海燕;張受業(yè);陳偉岸;賀艷;趙萌;朱惠欽 申請（專利權）人 北京北印東源新材料科技有限公司
代理機構 北京慶峰財智知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京北印東源新材料科技有限公司
地址 101407 北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雁棲東二路8號1幢1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種PECVD鍍膜裝置。該PECVD鍍膜裝置包括：預處理室（10），用于對基材（40）進行表面預處理；鍍膜室（20），位于預處理室（10）下游，用于對經(jīng)預處理室（10）預處理的基材（40）進行鍍膜；以及收料室（30），設置在鍍膜室（20）下游，用于收集經(jīng)鍍膜室（20）鍍膜的基材（40）；預處理室（10）、鍍膜室（20）以及收料室（30）之間為真空密封連接。本發(fā)明所提供的PECVD鍍膜裝置，能夠保證基材表面處理時的清潔度，保證基材表面的鍍膜質量。