PECVD鍍膜裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310722518.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103695870B 公開(kāi)（公告）日 2015-10-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN103695870B 申請(qǐng)公布日 2015-10-28
分類號(hào) C23C16/513(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 陳立國(guó);呂旭東;李海燕;張受業(yè);陳偉岸;賀艷;趙萌;朱惠欽 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京北印東源新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慶峰財(cái)智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京北印東源新材料科技有限公司
地址 101407 北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雁棲東二路8號(hào)1幢1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種PECVD鍍膜裝置。該P(yáng)ECVD鍍膜裝置包括：預(yù)處理室（10），用于對(duì)基材（40）進(jìn)行表面預(yù)處理；鍍膜室（20），位于預(yù)處理室（10）下游，用于對(duì)經(jīng)預(yù)處理室（10）預(yù)處理的基材（40）進(jìn)行鍍膜；以及收料室（30），設(shè)置在鍍膜室（20）下游，用于收集經(jīng)鍍膜室（20）鍍膜的基材（40）；預(yù)處理室（10）、鍍膜室（20）以及收料室（30）之間為真空密封連接。本發(fā)明所提供的PECVD鍍膜裝置，能夠保證基材表面處理時(shí)的清潔度，保證基材表面的鍍膜質(zhì)量。