單晶圓電池保護(hù)電路、充放電電路及便攜式電子設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010566475.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111614071B 公開(kāi)（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN111614071B 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類號(hào) H02H9/04（2006.01）I;H02J7/00（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 譚健;蔣錦茂 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州賽芯電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京常青藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 史慧敏
地址 215000 江蘇省蘇州市中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)蘇州大道東265號(hào)現(xiàn)代傳媒廣場(chǎng)33C
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N提高抗尖峰電壓能力和耐壓能力的單晶圓電池保護(hù)電路、充放電電路及便攜式電子設(shè)備。單晶圓電池保護(hù)電路包括：基本保護(hù)電路、柵極襯底控制電路、充放電控制MOS管和鉗壓MOS管；所述基本保護(hù)電路耦接所述柵極襯底控制電路；所述鉗壓MOS管的柵極和襯底均連接至源極，所述鉗壓MOS管的源極接收供電電壓，所述鉗壓MOS管的柵極連接所述柵極襯底控制電路；所述充放電控制MOS管的柵極和襯底分別連接所述柵極襯底控制電路，所述充放電控制MOS管耦接所述基本保護(hù)電路和所述柵極襯底控制電路。本申請(qǐng)可使電池保護(hù)電路免受尖峰電壓和直流高電壓的破壞，延長(zhǎng)充放電電路的使用壽命。