一種超薄絕緣層半導(dǎo)體激光器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011511284.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112636164A 公開（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112636164A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類號(hào) H01S5/024;H01S5/10;H01S5/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛虎;邱智賢;毛森;焦英豪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 勒威半導(dǎo)體技術(shù)（嘉興）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市特訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陸麗芳
地址 314200 浙江省嘉興市平湖市鐘埭街道福善線鐘南段288號(hào)智創(chuàng)園G2棟1-2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種超薄絕緣層半導(dǎo)體激光器及其制備方法，半導(dǎo)體激光器包括第一電極、第二電極、設(shè)于第一電極及第二電極之間且從第一電極朝向第二電極方向依次設(shè)置的襯底、第一金屬化層、第一限制層、第一波導(dǎo)層、第一過(guò)渡層、有源層、第二過(guò)渡層、第二波導(dǎo)層、第二限制層和第二金屬化層，所述第二金屬化層的上表面開設(shè)有至少兩條溝槽，相鄰溝槽之間設(shè)有載流子限制絕緣凸起，前后腔面分別鍍有增透膜和銀反射刻蝕膜。本發(fā)明中，絕緣層厚度降低可以使半導(dǎo)體激光器的散熱更加快速，有利于半導(dǎo)體激光器功率和壽命的提高。干法蝕刻利用Ar的電離對(duì)銀膜進(jìn)行轟擊，可達(dá)到對(duì)銀膜的蝕刻效果。