一種巴條類半導(dǎo)體激光器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011563403.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112713506A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN112713506A 申請(qǐng)公布日 2021-04-27
分類號(hào) H01S5/12;H01S5/20;H01S5/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛森;邱智賢;毛虎;焦英豪;譚武烈 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 勒威半導(dǎo)體技術(shù)（嘉興）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市特訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陸麗芳
地址 314200 浙江省嘉興市平湖市鐘埭街道福善線鐘南段288號(hào)智創(chuàng)園G2棟1-2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種巴條類半導(dǎo)體激光器及其制備方法，巴條類半導(dǎo)體激光器包括第一電極、第二電極、設(shè)于第一電極及第二電極之間且從第一電極朝向第二電極方向依次設(shè)置的襯底、下包層、有源層、上包層、歐姆接觸層和絕緣層，所述歐姆接觸層設(shè)有與上包層接觸的X射線自支撐閃耀透射光柵層，所述襯底上接觸面設(shè)有梯形臺(tái)，梯形臺(tái)橫向平行于襯底的解理面，梯形臺(tái)縱向垂直于襯底的解理面，且解理面是半導(dǎo)體激光器的腔面。本發(fā)明發(fā)光區(qū)有源層四周都為低折射率高帶隙的上包層，降低閾值電流，提高腔面COD功率。設(shè)置透射光柵層，提高半導(dǎo)體激光器的高分辨率，使其具有高光束質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)。