一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011511301.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112636162A | 公開(公告)日 | 2021-04-09 |
申請公布號 | CN112636162A | 申請公布日 | 2021-04-09 |
分類號 | H01S5/0232;H01S5/02345;H01S5/024;H01S5/026 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 毛虎;邱智賢;毛森;焦英豪 | 申請(專利權(quán))人 | 勒威半導(dǎo)體技術(shù)(嘉興)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市特訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 陸麗芳 |
地址 | 314200 浙江省嘉興市平湖市鐘埭街道福善線鐘南段288號智創(chuàng)園G2棟1-2層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體制冷器和設(shè)于半導(dǎo)體激光器與半導(dǎo)體制冷器之間的金屬層,所述半導(dǎo)體制冷器包括硅襯底、設(shè)于硅襯底上的金屬電極、沉積于金屬電極上的半導(dǎo)體熱電材料和刻蝕于半導(dǎo)體熱電材料上的P?N結(jié)構(gòu),所述半導(dǎo)體激光器包括第一電極、第二電極、設(shè)于第一電極及第二電極之間且從第一電極朝向第二電極方向依次設(shè)置的襯底、第一限制層、第一波導(dǎo)層、有源區(qū)、第二波導(dǎo)層、第二限制層、歐姆接觸層和歐姆接觸層與第二限制層接觸的透射光柵層。本發(fā)明使封裝的半導(dǎo)體激光器體積減小,提高激光器的性能。 |
