碳化硅晶片貼蠟裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920718120.3 申請日 -
公開(公告)號 CN210058835U 公開(公告)日 2020-02-14
申請公布號 CN210058835U 申請公布日 2020-02-14
分類號 B05C11/10;B05C13/02;H01L21/67 分類 一般噴射或霧化;對表面涂覆液體或其他流體的一般方法〔2〕;
發(fā)明人 鄭東;王鑫 申請(專利權(quán))人 青島華芯晶電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 青島鑫嘉星電子科技股份有限公司
地址 266114 山東省青島市城陽區(qū)青島市高新區(qū)河?xùn)|路383號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體晶片貼蠟拋光技術(shù)領(lǐng)域,涉及碳化硅晶片貼蠟裝置。該貼蠟裝置包括機(jī)臺上的控制箱以及與控制箱電連接的機(jī)械臂和氣缸,氣缸通過支撐柱安裝在機(jī)臺上方,氣缸的活塞桿自由端固接沖壓頭,陶瓷盤對應(yīng)設(shè)置在沖壓頭下方;機(jī)械臂通過伸縮氣缸與吸附裝置連接,吸附裝置下表面設(shè)置有若干真空吸附墊,吸附裝置上設(shè)置有與真空泵連接的真空吸附管路,真空泵與控制箱電連接;陶瓷盤擺放在放置槽內(nèi),放置槽底部安裝有加熱環(huán),加熱環(huán)上放置陶瓷盤;機(jī)臺上還設(shè)置有晶片擺放臺。該貼蠟裝置采取整體貼片加熱,變更傳統(tǒng)的單片加熱方式,這樣可以大大的提高了加工效率,且貼片溫度一致性更高,保證了碳化硅晶片的高質(zhì)量加工。