一種氣隙位置錯(cuò)開的電抗器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122151778.0 申請日 -
公開（公告）號 CN215680378U 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN215680378U 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01F37/00（2006.01）I;H01F27/24（2006.01）I;H01F27/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖任泉;張文德 申請（專利權(quán)）人 東莞立德電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州集睿知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盛力
地址 523710廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)第一工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種氣隙位置錯(cuò)開的電抗器，包括呈O型的鐵芯，在電抗器通電的狀態(tài)下，所述鐵芯內(nèi)部環(huán)繞形成主磁通，所述鐵芯內(nèi)部上下兩端分別形成旁路磁通，所述鐵芯左右兩側(cè)內(nèi)部分別橫穿有多個(gè)氣隙，左側(cè)所述氣隙與右側(cè)所述氣隙呈交錯(cuò)分布，使得氣隙處的磁動(dòng)勢分布均勻，能夠降低繞組渦流損耗。應(yīng)用本實(shí)用新型的技術(shù)方案的電抗器使得氣隙在整個(gè)磁路上分布更均勻，即在相等長度的磁回路中氣隙分布更細(xì)化，磁動(dòng)勢在氣隙處強(qiáng)度更小，因此擴(kuò)散磁通和臨時(shí)磁通也更小，從而生產(chǎn)更小的渦流損耗。