一種半導(dǎo)體擊穿測試裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111178760.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113608087A 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN113608087A 申請公布日 2021-11-05
分類號 G01R31/12（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張文臣 申請（專利權(quán)）人 深圳市賽元微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京專贏專利代理有限公司 代理人 陳進
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)南區(qū)粵興三道8號中國地質(zhì)大學產(chǎn)學研基地中地大樓B610
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于半導(dǎo)體生產(chǎn)相關(guān)領(lǐng)域，提供了一種半導(dǎo)體擊穿測試裝置及方法，包括傳送帶、掃描識別設(shè)備、測試機構(gòu)和變流機構(gòu)。傳送帶將半導(dǎo)體持續(xù)輸送到掃描識別設(shè)備以及測試機構(gòu)所在的位置，掃描識別設(shè)備對半導(dǎo)體的型號和引腳數(shù)量進行識別，控制測試機構(gòu)對不同型號的半導(dǎo)體進行測試，兼容性較好，并且連續(xù)自動測試提高工作效率；變流機構(gòu)使得通入測試機構(gòu)和半導(dǎo)體中的電流逐漸增大，能夠精準捕捉到擊穿半導(dǎo)體的極限最大電流值，使得測試準確性更高。